GMC04CG300G50NT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET 芯片,适用于高电压、高效率和高频开关应用。该器件采用先进的 SiC 材料制造工艺,具备出色的耐压能力、低导通电阻和快速开关性能,能够显著提升电力电子系统的效率和功率密度。
这种芯片主要面向工业级和汽车级应用,例如电动汽车逆变器、充电桩、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各类 DC-DC 和 AC-DC 转换器等场景。
类型:功率 MOSFET
材料:碳化硅 (SiC)
额定电压:1200V
额定电流:40A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:120nC
最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:裸芯片
1. 高击穿电压:
GMC04CG300G50NT 的额定电压为 1200V,适合高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻:
其导通电阻仅为 30mΩ,在大电流条件下可有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能:
得益于 SiC 技术,该芯片具有非常低的栅极电荷和输出电荷,从而实现更快的开关速度,减少开关损耗。
4. 宽温度范围:
工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃,保证在极端环境下依然可靠运行。
5. 高可靠性:
经过严格的测试与筛选,确保长期使用的稳定性,尤其适合对可靠性要求较高的工业及汽车领域。
6. 紧凑设计:
作为裸芯片形式提供,有助于客户根据具体需求进行灵活封装,从而优化系统设计。
1. 电动汽车牵引逆变器:
用于驱动电机控制器,支持高效能量转换和动态响应。
2. 充电桩:
在直流快充站中发挥核心作用,提供高效率和高功率密度。
3. 太阳能逆变器:
帮助实现光伏系统的高效 MPPT 控制和电网并网功能。
4. 不间断电源(UPS):
为数据中心和其他关键设施提供可靠的备用电源解决方案。
5. DC-DC 和 AC-DC 转换器:
广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业自动化领域。
GMC04CG300G50N, C3M0030120D, SCT30N120