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STT5PF20V 发布时间 时间:2025/6/4 0:35:57 查看 阅读:4

STT5PF20V 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于电路中的过电压保护。它能够有效地抑制由雷击、静电放电(ESD)、负载突降等引起的瞬态电压脉冲,从而保护敏感电子设备免受损坏。
  该器件采用 SOD-323 小型封装,具有低电容和快速响应时间的特点,非常适合高速数据线路的保护需求。

参数

工作电压:20V
  峰值脉冲功率:500W (8/20μs)
  反向 standoff 电压:18.6V
  最大箝位电压:31.4V
  结电容:5pF (典型值)
  响应时间:1ps
  漏电流:1μA (最大值,在 VRWM 下)
  封装类型:SOD-323

特性

STT5PF20V 具有以下主要特性:
  1. 高浪涌吸收能力,能有效处理高达 500W 的峰值脉冲功率。
  2. 极低的电容设计使其非常适合高速数据传输应用。
  3. 快速的响应时间确保了对瞬态电压的有效抑制。
  4. 紧凑的 SOD-323 封装有助于节省 PCB 空间。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品制造要求。
  6. 可靠性高,能够在恶劣环境下长期稳定运行。

应用

STT5PF20V 广泛应用于需要过压保护的场景,包括但不限于:
  1. USB 接口保护。
  2. HDMI 和其他高速数据接口的 ESD 保护。
  3. 无线通信设备中的射频前端保护。
  4. 工业控制系统的信号线保护。
  5. 汽车电子系统中的瞬态电压防护。
  6. 移动设备及消费类电子产品中的电源线和信号线保护。

替代型号

PESD5V0R1BHT, SM712, SMAJ20A

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STT5PF20V参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.5nC @ 2.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds412pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-23-6
  • 包装带卷 (TR)