时间：2025/8/25 7:38:21
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HGT1S5N120BNS是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高电流能力的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效功率开关的应用设计。该器件采用先进的非穿通（Non-Punch-Through，NPT）沟槽技术，具有优异的导通性能和开关特性，适用于工业电源、电机控制、照明和功率转换等应用。HGT1S5N120BNS封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：5A（Tc=25℃）
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值2.2Ω
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
HGT1S5N120BNS具有多项优异的电气和物理特性，适用于高电压和高功率应用。
首先，其最大漏源电压达到1200V，使其能够在高压环境中稳定工作，适用于诸如高压电源、工业电机驱动和逆变器系统等场景。
其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式IGFET（Trench IGFET）技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），提高了导电效率，从而减少了导通损耗，提高了系统整体效率。
此外，HGT1S5N120BNS具有较高的热稳定性和耐久性，得益于其TO-247封装结构，该封装具备良好的散热性能，有助于在高电流工作时维持较低的结温，提高器件的可靠性。
该器件还具有良好的短路耐受能力，增强了在恶劣工作条件下的稳定性，适用于需要高可靠性的工业控制系统。
另外，HGT1S5N120BNS的栅极驱动电压范围宽，支持±20V的栅源电压，便于与多种驱动电路兼容，提高设计灵活性。
最后，其非穿通（NPT）结构确保了在高温下仍能保持稳定的性能，减少温度变化对器件工作状态的影响，适用于高温环境下的应用。
HGT1S5N120BNS因其高电压、高电流能力和优异的开关特性，广泛应用于多个高功率电子系统中。
在工业电源系统中，该器件常用于高压直流电源、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）中，作为主功率开关，其低导通电阻和高效率有助于提升电源系统的整体性能。
在电机控制方面，HGT1S5N120BNS适用于高压交流电机驱动器、变频器和伺服电机控制器，其高电压耐受能力和良好的热稳定性使其能够在电机频繁启停和负载变化的条件下稳定运行。
此外，该MOSFET还可用于照明系统，如高压气体放电灯（HID）和LED照明驱动器，提供稳定的开关控制和高效的能量转换。
在新能源领域，HGT1S5N120BNS可应用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块，帮助实现高效的能量转换和稳定的输出控制。
由于其良好的短路保护能力和宽温度范围工作特性，该器件也常用于工业自动化控制、智能电网系统和高可靠性工业设备中。
STW12NK120Z, IXFN5N120, FGP5N120TND
