时间：2025/6/16 16:40:11
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GMC04CG220F50NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，从而显著提高效率并降低功耗。
其封装形式为 NT 封装，适合高密度贴装应用，并且具备良好的散热性能。
型号：GMC04CG220F50NT
类型：N沟道 MOSFET
漏源极击穿电压：220V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：80nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GMC04CG220F50NT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，确保在大电流应用中保持高效性能。
2. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，非常适合高频应用环境。
3. 高度可靠的沟槽式结构设计，增强了芯片的耐用性和稳定性。
4. 支持高达 50A 的连续漏极电流，满足多种高功率场景需求。
5. 工作温度范围宽广，适用于极端环境条件下的运行。
6. 出色的热性能表现，可将热量迅速传导至外部散热器，延长使用寿命。
7. 提供全面的 ESD 和短路保护功能，进一步提升系统的安全性与可靠性。
这款 MOSFET 可用于多个领域的电力转换和控制场景，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. 各种 DC-DC 转换器的功率级元件。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂或斩波电路。
4. 太阳能逆变器及储能设备的核心功率器件。
5. LED 照明系统中的恒流驱动组件。
6. 工业自动化设备中的负载切换控制单元。
GMC04CG220F50NL, IRF220PBF, STP50NF22K5
