时间：2025/5/19 18:05:22
阅读：6
FM31X474K101EEG是一款由Ramtron（现已被Cypress收购）生产的非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）。该器件将标准高速静态RAM与集成的非易失性功能相结合，确保在电源中断时数据能够被安全保存。它采用微功耗电池进行备份，在正常工作模式下无需外部电池支持即可运行。
该系列芯片具有高可靠性和快速访问时间，适合需要频繁读写且要求数据持久性的应用环境。其设计结构使得nvSRAM在性能上接近传统SRAM，同时具备闪存或EEPROM的数据保留能力。
容量：512K x 8位（4Mbit）
接口类型：并行
工作电压范围：4.5V至5.5V
待机电流：最大2μA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：48引脚TSOP-II
FM31X474K101EEG的核心特性包括：
1. 非易失性：通过集成的电池备份技术，在断电情况下可保持数据完整。
2. 快速访问时间：典型值为55ns，满足高性能系统的需求。
3. 数据保留寿命：在适当的电池支持下，数据可以保存超过十年。
4. 自动保存/恢复：无需额外控制电路即可实现从SRAM到非易失性存储的无缝转换。
5. 可靠性高：经过严格测试以确保在各种工业和商业环境中稳定运行。
6. 容量大：提供高达4Mbit的存储空间，适用于复杂的应用场景。
这款芯片广泛应用于需要实时数据记录、配置存储和日志记录的领域，例如：
1. 工业自动化设备中的程序和状态存储。
2. 医疗仪器中的关键数据保存。
3. 网络通信设备中的临时缓存和设置保存。
4. 汽车电子系统中的数据日志记录。
5. 计量仪表中的消费数据存储。
6. 任何需要高频次写入且必须保证数据不丢失的场合。
FM31L474K101EEG, FM31X474K101EFG
