GMC04CG120J50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统效率并降低功耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于各种需要高效能和稳定性的工业及消费类电子产品中。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:80A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:95nC
开关速度:20ns
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力,适合大功率应用环境。
3. 快速开关性能,支持高频操作以减小滤波器体积。
4. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
5. 小尺寸封装设计,便于PCB布局与散热管理。
6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅材料制造。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)
3. 电机控制与驱动
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 汽车电子系统的电池管理系统
6. 光伏逆变器以及其他可再生能源解决方案
GMC04CG120J50NP,GMC04CG120J50NR,GMC04CG120J50NS