时间：2025/9/14 21:39:56
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BUK9Y25-80E,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高可靠性的电源管理和功率转换应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优异的热稳定性。其封装形式为TO-220，适用于多种工业控制、汽车电子、消费类电源和DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：80V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：25A @ TC=25°C
功耗(PD)：80W
导通电阻(RDS(on))：最大4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
湿度敏感等级：1
BUK9Y25-80E,115 采用先进的TrenchMOS技术，提供了非常低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件具有出色的热性能，在高电流工作条件下仍能保持稳定运行，减少了对散热器的需求，从而节省了PCB空间和成本。此外，其坚固的结构设计和优良的雪崩能量耐受能力，使其在严苛的工业和汽车环境中也能保持高可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动，适用于多种驱动电路设计。其快速开关特性可有效减少开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。在汽车电子应用中，BUK9Y25-80E,115 符合AEC-Q101标准，具备高抗干扰性和环境适应性。
BUK9Y25-80E,115 主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动、负载开关、工业自动化控制、LED照明电源、汽车电子（如车载充电器、起停系统）等领域。其高效的导通性能和良好的热稳定性使其成为高功率密度设计的理想选择。
IRF3710, FDP3710, IPB18N06S4-03, BUK9525-80E
