时间：2025/7/9 3:12:02
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GMC04CG100D100NT是一款基于硅技术的高压MOSFET芯片，适用于高功率密度和高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式结构设计，优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，从而提高了效率并降低了功耗。其封装形式为行业标准TO-220，具有良好的散热性能和电气连接可靠性。
这款芯片主要应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及太阳能微逆变器等场景。得益于其出色的开关特性和稳健的设计，它能够满足现代电子系统对高效能和稳定性的严格要求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：100A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：50nC
输入电容：1500pF
输出电容：800pF
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
GMC04CG100D100NT具有以下关键特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)）：在高电流应用场景中显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力：短反向恢复时间和小栅极电荷确保快速切换操作，减少开关损耗。
3. 强大的鲁棒性：经过严格的雪崩测试验证，适合恶劣环境下的使用。
4. 热增强型封装：提供卓越的热管理和机械稳定性。
5. 符合RoHS标准：无铅设计，环保且满足全球法规要求。
GMC04CG100D100NT广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的大功率DC-DC转换器。
2. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机控制器。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 高效开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
5. 高频谐振转换器和软开关拓扑电路。
GMC04CG120D80NT
GMC04CG80D120NT
IRFP260N
STP100N10F7
