晶体管类型：NPN双极晶体管阵列
　　配置：共发射极（2个独立晶体管）
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23-6

MRA1417-11具备良好的开关性能和低饱和电压特性，使其在高频开关应用中表现出色。每个晶体管都具有独立的引脚配置，可灵活用于各种电路设计中。其SOT-23-6封装体积小巧，适合空间受限的设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
　　该器件的典型电流增益（hFE）在100至800之间，具体数值取决于工作电流和温度条件。MRA1417-11的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）在Ic=100mA时通常低于0.2V，有助于降低功耗并提高效率。
　　在可靠性方面，MRA1417-11经过严格测试，具有较高的热稳定性和长期工作稳定性，适用于工业级和汽车电子系统中的信号处理和驱动应用。

MRA1417-11主要应用于数字电路中的电平转换、缓冲和驱动电路。例如，在微控制器与外围设备之间进行信号转换时，该器件可以有效地隔离不同电压域，提高系统稳定性。此外，它也常用于LED驱动、继电器控制、逻辑门电路以及小型电机控制等场景。
　　在通信设备中，MRA1417-11可用于放大和开关射频或数字信号。在汽车电子系统中，它可作为传感器信号放大器或执行器驱动器使用。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于电源管理或信号处理电路。
　　由于其小型封装和高可靠性，MRA1417-11也适用于需要高密度布局的便携式设备和工业自动化控制系统。

MRA1417-11的替代型号包括MRA1418-11（PNP阵列）、MUN5111DW1（NPN晶体管阵列，SOT-23-6封装）、MUN5115DW1、以及BCX56系列双晶体管。如果需要分立晶体管方案，可选用2N3904或BC547等通用NPN晶体管。