类型: NPN 射频功率晶体管
　　工艺技术: GaAs HBT
　　工作频率: 800 MHz - 2.7 GHz
　　输出功率: 典型值 28 dBm @ 2.1 GHz
　　增益: 13 dB @ 2.1 GHz
　　效率: 40% @ 2.1 GHz
　　工作电压: 5 V
　　封装类型: TQFN
　　封装尺寸: 5 mm x 5 mm
　　引脚数: 24
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C

RF1646CTR13-5K 具备一系列优异的性能特点，适用于高要求的射频功率放大应用。
　　首先，该器件采用 GaAs HBT 工艺制造，具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在较高频率范围内保持优异的放大性能。GaAs 材料的高电子迁移率使其在高频下表现出色，适合用于现代无线通信系统中的多频段操作。
　　其次，RF1646CTR13-5K 的典型工作频率覆盖 800 MHz 到 2.7 GHz，使其适用于多种蜂窝通信标准，包括 GSM、WCDMA、LTE 和 CDMA 等。这使得该晶体管在多频段或多标准基站、中继器和测试设备中具有广泛的应用前景。
　　此外，该器件在 2.1 GHz 频率下的输出功率可达 28 dBm，功率增益为 13 dB，效率达到 40%。这种高增益和高效能的组合有助于减少系统的功耗和散热需求，提高整体系统的能源利用效率。
　　RF1646CTR13-5K 采用 5 mm x 5 mm 的 24 引脚 TQFN 封装，提供紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计。该封装还具备良好的热管理性能，可确保器件在高功率工作状态下保持稳定。
　　最后，该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，能够适应工业级和军事级的严苛环境要求，适用于户外设备和高可靠性应用场景。

RF1646CTR13-5K 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大应用。其典型应用包括蜂窝基站、无线中继器、分布式天线系统（DAS）、测试与测量设备、工业控制设备和军事通信系统等。由于其频率覆盖范围广、输出功率高、效率好，该器件特别适合用于多频段或多标准通信系统中的前置放大器或驱动放大器。在 LTE 和 5G 网络建设中，该晶体管可用于中低功率射频模块的设计，以实现高效、稳定的信号放大。此外，该器件也可用于射频测试设备、便携式通信设备和射频识别（RFID）系统等应用中。

RF1645CTR13-5K, HMC414, BGA2707, AFT-5401