容量：16K x 8位
　　电压：5V
　　访问时间：40ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54引脚
　　接口类型：并行接口
　　读写操作：异步SRAM
　　最大工作频率：约25MHz（根据访问时间计算）

GM82C765BS-40/HYNIX 具备多项显著特性。首先，其高速访问时间为40ns，确保了快速的数据读写能力，适用于对性能要求较高的系统。其次，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合对功耗敏感的应用场景。此外，它支持-40°C至+85°C的宽温范围，使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。该器件的TSOP封装形式有助于节省电路板空间，并提高了散热效率。此外，异步接口设计使其与多种控制器兼容，简化了系统集成过程。
　　另一个重要特性是该芯片的高可靠性。Hynix在SRAM设计方面具有丰富的经验，GM82C765BS-40具备良好的数据保持能力和抗干扰性能，确保长时间运行的稳定性。此外，该SRAM芯片无需刷新操作，相比DRAM而言，其使用更为简便，降低了系统设计的复杂度。对于需要高稳定性和快速响应的嵌入式系统而言，这些特性使其成为理想选择。

GM82C765BS-40/HYNIX 适用于多种高性能和低功耗要求的应用场景。在工业自动化领域，该芯片可作为高速缓存或临时数据存储单元，用于提升控制系统的响应速度。在通信设备中，该SRAM芯片可用于存储临时数据包、缓冲区或快速访问的控制寄存器，从而提高数据处理效率。此外，在嵌入式系统中，如工业计算机、智能仪表和测试设备，该芯片可作为主存储器或辅助存储器，提供高速数据存取能力。
　　消费类电子产品中，该SRAM芯片也可用于游戏机、便携式设备和打印机等产品，用于提升系统运行效率。由于其宽温范围特性，GM82C765BS-40/HYNIX 也适用于户外设备、车载电子系统和工业级网络设备。同时，由于其异步接口的灵活性，该芯片可与多种微控制器、FPGA和ASIC进行无缝连接，适用于多种定制化系统设计。

CY7C199-45PC, IDT71V416S45PFG, IS61C256AH-45N