时间：2025/5/29 20:13:01
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FDC642P-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN33-8封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。其出色的性能和小型化封装设计使得它在便携式设备和空间受限的应用中具有显著优势。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：9nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：PDFN33-8
FDC642P-NL拥有非常低的导通电阻，仅为2.5毫欧，在高电流应用中可以有效减少功率损耗。
其栅极电荷较小（9纳库仑），确保了快速的开关性能，从而降低了开关损耗。
该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到175℃，适应各种恶劣环境条件。
FDC642P-NL采用PDFN33-8封装，体积小且散热性能良好，非常适合对尺寸敏感的设计。
此外，它的高雪崩能量能力增强了系统的可靠性。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流开关、负载开关、电池保护电路、电机驱动控制器以及其他需要高效功率转换的场合。由于其低导通电阻和高效率特点，也常用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中的电源管理系统。
FDC642P-L, FDS6602, IRF7832
