容量：256K 位（32K x 8）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　输入/输出接口：标准异步SRAM接口
　　封装引脚数：54-pin
　　工作模式：异步模式
　　最大功耗：约100mA（典型值）

GM76C256CLLT-55E SRAM 芯片具有多项出色的性能特点。首先，其高速访问时间为55纳秒，能够满足高速数据处理系统的需求，确保系统在高频率下稳定运行。其次，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种电源设计环境，提高了系统的兼容性和灵活性。
　　此外，GM76C256CLLT-55E 采用CMOS工艺制造，具备低功耗特性，在待机模式下功耗极低，非常适合对功耗敏感的应用场景，如便携式设备和电池供电系统。其54引脚TSOP封装结构紧凑，便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能，适合工业级温度范围（-40°C至+85°C）下的稳定运行。
　　该芯片还具有高可靠性和抗干扰能力，适用于各种工业控制、通信设备、嵌入式系统以及消费类电子产品。其标准异步SRAM接口可与多种主控芯片直接连接，简化了系统设计并提升了整体稳定性。

GM76C256CLLT-55E SRAM 芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于工业控制设备、嵌入式系统、网络通信设备、医疗电子设备、消费类电子产品以及汽车电子系统。在工业自动化系统中，它可用于缓存传感器数据或作为PLC控制器的高速存储单元；在网络设备中，可作为路由器或交换机的数据缓冲器；在消费电子产品中，如智能家电、智能手表和可穿戴设备中，用于高速数据缓存和临时存储。
　　此外，该芯片适用于需要高速数据存取的图像处理系统、视频采集设备以及音频解码模块。在汽车电子系统中，可作为仪表盘控制系统或车载导航设备的临时存储器，确保系统在复杂环境下的稳定运行。

IS62LV256AL-55TLI, CY62148EAVTA1-55BVXI, IDT71V016SA55PI, AS6C256A-55SQN