电容值：15 pF
　　容差：±0.25 pF
　　额定电压：50 V
　　介质材料：陶瓷（C0G / NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　损耗角正切（tanδ）：≤ 0.0015
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C

TNCA0G156MTRF 的主要特性之一是其卓越的电容稳定性。采用 C0G/NP0 介质材料，使得该电容器在温度变化下几乎不会产生电容漂移，非常适合用于对电容值要求极高的高频电路。此外，该器件的容差非常小（±0.25 pF），使其特别适合用于需要高精度调谐的电路设计。
　　另一个显著特点是其优异的高频性能。该电容器在高频范围内表现出极低的插入损耗和高 Q 值（品质因数），适用于射频电路中的滤波、耦合和旁路应用。此外，其小型化封装（0402）使得在高密度 PCB 设计中可以节省空间，同时不影响性能。
　　由于其高绝缘电阻和低损耗角正切，TNCA0G156MTRF 在高温和高频条件下仍能保持良好的电气性能，确保系统的长期稳定性。该电容器还符合 RoHS 指令，适合无铅焊接工艺。

TNCA0G156MTRF 电容器广泛应用于需要高稳定性和高精度的高频电路中。常见应用包括射频（RF）收发模块、滤波器、振荡器、天线调谐电路、无线通信设备、测试与测量仪器以及高精度模拟电路。
　　在射频电路中，该电容器用于滤波和信号处理，确保信号的清晰度和稳定性。在振荡器中，其高精度和低温度系数有助于维持频率的稳定性。此外，在无线通信系统中，TNCA0G156MTRF 可用于旁路和去耦，以减少高频噪声和干扰。
　　该器件也常用于高精度模拟电路，如运算放大器反馈电路、滤波器和积分器等，确保信号路径的稳定性。其无铅环保特性也使其适用于现代电子设备的制造。

C0805C150JGACTU, GRM0495G1H150JA01#, VJ0402Y150JBAAT