SVF4N60D 时间：2025/3/26 8:41:22 阅读：5

SVF4N60D是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由Semikron等厂商生产。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关和低导通损耗的电路中。它采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合在高频和高效率的应用场景中使用。
　　SVF4N60D的设计使其能够承受高达600V的漏源电压，并且具备出色的热稳定性和可靠性，是工业和汽车电子领域的常用功率半导体元件。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻（典型值）：1.6Ω
　　栅极电荷：25nC
　　开关时间：ton=80ns, toff=35ns
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

1. 高耐压能力，漏源电压可达600V，适用于多种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻，典型值为1.6Ω，在大电流应用中降低功耗。
　　3. 快速开关特性，具有较小的栅极电荷和短开关时间，适合高频工作环境。
　　4. 热性能优越，能够在较宽的温度范围内可靠运行，适应恶劣的工作条件。
　　5. 抗雪崩能力强，提高了器件在异常情况下的耐用性。
　　6. 小型封装设计，节省PCB空间，便于系统集成。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　3. DC-DC转换器中的高频开关元件。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
　　5. 各类工业控制设备中的功率调节与管理。
　　6. 汽车电子领域，例如电动车窗、座椅调节等系统中的驱动元件。