GM76C256CLFW70 是一款由 GSI Technology 生产的高速、低功耗 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有 256Kbit 的存储容量,组织形式为 32K x 8。其高速访问时间使其适用于需要快速数据存取的场景,如网络设备、通信系统、工业控制、测试设备和嵌入式系统等。
容量:256Kbit
组织结构:32K x 8
电源电压:3.3V
访问时间:70ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装类型:100-TQFP
功耗:低功耗CMOS工艺
数据保持电压:1.2V(最小)
读取电流:最大180mA(典型值)
待机电流:最大10mA
GM76C256CLFW70 采用先进的 CMOS 工艺制造,具备出色的稳定性和可靠性。
该芯片支持异步读写操作,具有高速数据访问能力,访问时间仅为 70ns,适用于对响应时间要求较高的系统。
其低功耗设计在正常工作和待机模式下均能有效节省能耗,特别适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。
该 SRAM 芯片具备宽温度范围支持(-40°C 至 +85°C),适用于工业级环境应用。
封装采用 100-TQFP 形式,便于 PCB 布局和焊接,提高系统集成度与可靠性。
该器件符合 RoHS 标准,支持绿色环保设计。
GM76C256CLFW70 常用于需要高速缓存的嵌入式系统、通信设备、网络交换设备、工业控制系统、数据采集与处理系统、图像处理设备、测试与测量仪器等。
例如,在网络路由器或交换机中,该芯片可作为高速缓存用于临时存储数据包;在工业控制设备中,可作为程序存储器或数据缓冲器;在测试设备中可用于高速数据暂存和处理。
此外,由于其低功耗特性,也适用于便携式电子设备和需要长时间运行的远程监控系统。
IS62WV2568GLBLL-70NLI, CY7C1041CV33-70ZSXI, IDT71V433SA70PFGI, AS7C32568B-70BSC