时间：2025/9/2 0:49:25
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GM76C256CLFW70 是一款由 GSI Technology 生产的高速、低功耗 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有 256Kbit 的存储容量，组织形式为 32K x 8。其高速访问时间使其适用于需要快速数据存取的场景，如网络设备、通信系统、工业控制、测试设备和嵌入式系统等。
容量：256Kbit
组织结构：32K x 8
电源电压：3.3V
访问时间：70ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：100-TQFP
功耗：低功耗CMOS工艺
数据保持电压：1.2V（最小）
读取电流：最大180mA（典型值）
待机电流：最大10mA
GM76C256CLFW70 采用先进的 CMOS 工艺制造，具备出色的稳定性和可靠性。
该芯片支持异步读写操作，具有高速数据访问能力，访问时间仅为 70ns，适用于对响应时间要求较高的系统。
其低功耗设计在正常工作和待机模式下均能有效节省能耗，特别适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。
该 SRAM 芯片具备宽温度范围支持（-40°C 至 +85°C），适用于工业级环境应用。
封装采用 100-TQFP 形式，便于 PCB 布局和焊接，提高系统集成度与可靠性。
该器件符合 RoHS 标准，支持绿色环保设计。
GM76C256CLFW70 常用于需要高速缓存的嵌入式系统、通信设备、网络交换设备、工业控制系统、数据采集与处理系统、图像处理设备、测试与测量仪器等。
例如，在网络路由器或交换机中，该芯片可作为高速缓存用于临时存储数据包；在工业控制设备中，可作为程序存储器或数据缓冲器；在测试设备中可用于高速数据暂存和处理。
此外，由于其低功耗特性，也适用于便携式电子设备和需要长时间运行的远程监控系统。
IS62WV2568GLBLL-70NLI, CY7C1041CV33-70ZSXI, IDT71V433SA70PFGI, AS7C32568B-70BSC
