时间：2025/5/15 17:32:26
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GA0805H563JXXBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于工业、消费电子以及汽车领域中的各种电路设计。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型，支持快速开关操作，并能够承受较高的电压和电流负载。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能。
型号：GA0805H563JXXBT31G
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极耐压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（持续漏极电流）：80A
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.5V~4.5V
Qg（总栅极电荷）：75nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
封装：TO-263 (D2PAK)
GA0805H563JXXBT31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流和电压能力，适合在严苛条件下工作。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并支持高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定性能。
5. 支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，从而增强可靠性。
6. 封装采用标准 TO-263，便于集成到现有 PCB 设计中。
GA0805H563JXXBT31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 工业控制设备和自动化系统。
4. 汽车电子中的负载切换和电池管理。
5. 高效 LED 驱动器和太阳能逆变器。
6. 任何需要大电流、高效率开关的应用场景。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP80NF06
