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MMBT2369ALT1G 发布时间 时间:2025/5/10 17:44:06 查看 阅读:18

MMBT2369ALT1G是一款NPN型硅晶体管,广泛应用于通用放大和开关电路。该晶体管具有低噪声、高增益以及出色的频率响应特性,适用于各种电子设备中的信号放大和开关功能。其封装形式为TO-236-3,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
  MMBT2369ALT1G在消费类电子产品、工业控制设备及通信系统中表现优异,尤其是在音频放大器、电源管理模块和逻辑电平转换等场景中。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极电流(Ic):800mA
  直流电流增益(hFE):最小值100,最大值300
  功率耗散(Ptot):625mW
  过渡频率(fT):300MHz
  工作结温范围(Tj):-55℃至150℃

特性

1. 高增益性能,支持精确的电流放大和开关控制。
  2. 小型化的SOT-23封装设计,能够适应紧凑型电路板布局。
  3. 宽泛的工作温度范围,确保在多种环境条件下稳定运行。
  4. 优良的电气特性和热稳定性,适用于高可靠性应用场景。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子设计中。

应用

1. 音频信号放大器中的驱动级或输出级元件。
  2. 开关电源(SMPS)中的同步整流和脉宽调制(PWM)控制。
  3. 用于数字逻辑电平转换,如将低电压信号提升至较高电压信号。
  4. 工业控制系统中的传感器接口和信号调理电路。
  5. 电池供电设备中的负载切换和保护电路。

替代型号

2N2222A, BC337, MMBT3904LT1G

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MMBT2369ALT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)400nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT2369ALT1GOSMMBT2369ALT1GOS-NDMMBT2369ALT1GOSTR