容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：3.3V至5.5V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入/输出接口：并行接口
　　数据保持电压：2V
　　待机电流：10mA（典型值）
　　工作电流：180mA（典型值）
　　读写操作：异步读写
　　数据保持时间：10ms（最小）

GM76C256CLE-70是一款高性能的异步SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗和高速性能。该芯片的访问时间为70ns，适用于对数据存取速度有较高要求的应用场景。其宽电压范围（3.3V至5.5V）使其能够兼容多种系统电源设计，增强了系统的灵活性。此外，该芯片具有较宽的工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种恶劣的工业环境。
　　GM76C256CLE-70采用异步控制信号，支持CE（芯片使能）、OE（输出使能）和WE（写使能）等控制引脚，便于与微处理器或控制器连接。该芯片的待机电流仅为10mA，有助于降低系统功耗，延长电池寿命。同时，其高速访问能力使其在数据缓冲、高速缓存等应用中表现出色。
　　该芯片还具备良好的数据保持能力，在掉电状态下可保持数据至少10ms，便于系统在断电时进行数据保存操作。TSOP封装形式不仅减小了PCB空间占用，而且有助于提高系统的稳定性。

GM76C256CLE-70适用于多种需要高速、低功耗存储器的电子系统。常见的应用包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信设备、打印机和扫描仪等办公自动化设备、智能仪表、手持设备等。由于其异步接口设计和广泛的电压兼容性，该芯片也常用于需要与多种微控制器或微处理器进行连接的系统设计中。

ISSI IS62C256AL-70SLI、Cypress CY62256NLL-70SC、Microchip 23K256-I/P