RF21N0R7A251CT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信领域中的功率放大器应用。该器件采用了先进的LDMOS(Laterally Diffused MOS)技术制造,能够在高频段提供高效率和高线性度的性能表现。其设计适用于蜂窝基站、无线电发射机和其他需要大功率输出的应用场景。
该晶体管具有出色的增益特性和可靠性,并且能够在较宽的工作频率范围内保持稳定的性能。
型号:RF21N0R7A251CT
类型:射频功率晶体管
工艺:LDMOS
工作频率范围:30 MHz 至 3000 MHz
最大输出功率:50 W
增益:16 dB
供电电压:28 V
电流:典型值 4.5 A
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
RF21N0R7A251CT 晶体管具备以下显著特性:
1. 高效率:在额定功率条件下,能够实现超过60%的功率附加效率(PAE)。
2. 宽带能力:支持从30 MHz到3 GHz的宽频率范围操作,适合多种无线通信标准。
3. 线性度优秀:采用先进工艺优化,确保在多载波系统中具有良好的线性输出。
4. 坚固耐用:经过严格的环境测试验证,保证在恶劣条件下的长期稳定运行。
5. 易于集成:采用行业标准封装,便于与现有电路设计兼容并简化热管理方案。
6. 低失真:内置匹配网络,减少外部元件需求,同时降低信号失真。
RF21N0R7A251CT 广泛应用于以下领域:
1. 蜂窝基站:
- 用于GSM、CDMA、WCDMA等标准的功率放大器模块。
2. 无线基础设施:
- 包括微波链路设备、点对点无线电传输系统等。
3. 军事与航空航天:
- 适用于雷达系统、卫星通信及战术无线电平台。
4. 工业、科学和医疗(ISM)频段:
- 支持无线传感器网络和工业自动化设备中的高功率发射机设计。
5. 测试测量:
- 在信号发生器、频谱分析仪等领域用作驱动级或最终功放级。
RF21N0R7A250CT, RF21N0R7A260CT