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RF21N0R7A251CT 发布时间 时间:2025/6/29 12:12:49 查看 阅读:5

RF21N0R7A251CT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信领域中的功率放大器应用。该器件采用了先进的LDMOS(Laterally Diffused MOS)技术制造,能够在高频段提供高效率和高线性度的性能表现。其设计适用于蜂窝基站、无线电发射机和其他需要大功率输出的应用场景。
  该晶体管具有出色的增益特性和可靠性,并且能够在较宽的工作频率范围内保持稳定的性能。

参数

型号:RF21N0R7A251CT
  类型:射频功率晶体管
  工艺:LDMOS
  工作频率范围:30 MHz 至 3000 MHz
  最大输出功率:50 W
  增益:16 dB
  供电电压:28 V
  电流:典型值 4.5 A
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C

特性

RF21N0R7A251CT 晶体管具备以下显著特性:
  1. 高效率:在额定功率条件下,能够实现超过60%的功率附加效率(PAE)。
  2. 宽带能力:支持从30 MHz到3 GHz的宽频率范围操作,适合多种无线通信标准。
  3. 线性度优秀:采用先进工艺优化,确保在多载波系统中具有良好的线性输出。
  4. 坚固耐用:经过严格的环境测试验证,保证在恶劣条件下的长期稳定运行。
  5. 易于集成:采用行业标准封装,便于与现有电路设计兼容并简化热管理方案。
  6. 低失真:内置匹配网络,减少外部元件需求,同时降低信号失真。

应用

RF21N0R7A251CT 广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站:
   - 用于GSM、CDMA、WCDMA等标准的功率放大器模块。
  2. 无线基础设施:
   - 包括微波链路设备、点对点无线电传输系统等。
  3. 军事与航空航天:
   - 适用于雷达系统、卫星通信及战术无线电平台。
  4. 工业、科学和医疗(ISM)频段:
   - 支持无线传感器网络和工业自动化设备中的高功率发射机设计。
  5. 测试测量:
   - 在信号发生器、频谱分析仪等领域用作驱动级或最终功放级。

替代型号

RF21N0R7A250CT, RF21N0R7A260CT

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RF21N0R7A251CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥2.01268卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.7 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-