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GA1812A561FXLAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 13:44:46 查看 阅读:6

GA1812A561FXLAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和稳定性。
  这款器件通过优化栅极电荷和输出电容参数,在高频应用中表现出色。同时,其坚固的设计使其能够在严苛的工作环境下保持可靠性能,适用于工业控制、通信设备以及消费类电子产品中的多种场景。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):56A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):70nC
  总电容(Ciss):2200pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1812A561FXLAT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低功耗。
  2. 高电流处理能力,支持高达56A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷和优化的动态参数。
  4. 宽泛的工作温度范围,适应各种环境条件下的应用需求。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 封装形式为TO-247,便于散热管理。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 工业电机驱动电路中的功率级元件。
  3. DC-DC转换器中的高效开关器件。
  4. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统中的负载控制。
  5. 各种需要大电流、低损耗的功率转换和控制场合。

替代型号

GA1812A501FXLAT31G
  IRFP2907
  FDP55N06L

GA1812A561FXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-