GM72V161621EF8 时间：2025/9/2 0:24:03 阅读：30

GM72V161621EF8 是一款由GSI Technology公司生产的高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，专为高性能计算、网络设备、工业控制系统和通信系统等应用设计。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，提供高可靠性和稳定性。其容量为256K x 16位，工作电压为2.3V至3.6V，支持异步操作，适用于需要快速数据访问和低延迟的应用场景。

参数

容量：256K x 16位
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：8ns
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据宽度：16位
　　最大工作频率：125MHz
　　封装尺寸：54-TSOP
　　读写操作：异步
　　输出类型：三态

特性

GM72V161621EF8 SRAM芯片具备多项显著特性，首先，其高速访问时间为8ns，能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求。其次，该芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时有效降低能耗，适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携设备。此外，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了其在不同电源环境下的兼容性和适应性。
　　GM72V161621EF8具有工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。其54引脚TSOP封装设计不仅节省空间，还便于PCB布局和焊接，适合高密度电路设计。该芯片的异步操作模式允许其与多种控制器和处理器无缝连接，简化系统集成。
　　此外，该SRAM芯片配备三态输出功能，可有效避免总线冲突，提升系统稳定性和数据传输的可靠性。由于其16位数据宽度，能够提供较大的数据吞吐量，适用于高速缓存、数据缓冲和临时存储等应用场景。

应用

GM72V161621EF8 SRAM芯片广泛应用于多个高性能电子系统中，包括但不限于高速网络设备、通信基础设施、工业自动化控制系统、测试与测量仪器以及嵌入式系统。在网络设备中，该芯片可用作数据缓冲存储器，提高数据包处理速度和网络吞吐量。在工业控制系统中，它可作为临时存储器用于高速数据采集和实时控制任务。
　　在测试与测量仪器中，GM72V161621EF8可用于高速数据缓存，确保测量数据的快速处理和实时分析。此外，该芯片也适用于需要大容量、高速SRAM的嵌入式系统，如图像处理模块、音频处理设备和高性能微控制器系统。由于其低功耗特性和宽电压范围，该芯片也适用于便携式设备和电池供电系统。