STF6N62K3 时间：2025/7/23 6:28:32 阅读：8

STF6N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款功率MOSFET晶体管，采用先进的STripFET?技术，具备高性能和高可靠性。该器件主要设计用于高效率开关应用，如电源适配器、电池充电器、照明镇流器以及工业控制设备。STF6N62K3为N沟道增强型MOSFET，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于多种高功率密度设计场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大连续漏极电流（Id）：6 A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大1.2 Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1 V ~ 3.5 V
　　最大功耗（Ptot）：40 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STF6N62K3 MOSFET采用了STMicroelectronics的先进STripFET?技术，这种技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），同时提高了器件的开关性能和热稳定性。其最大导通电阻仅为1.2Ω，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的传导损耗，提高整体系统效率。
　　该器件的最大漏源电压达到650V，使其适用于高电压应用环境。同时，最大连续漏极电流为6A，满足中等功率水平的开关需求。STF6N62K3的栅极阈值电压范围为2.1V至3.5V，允许使用常见的逻辑电平进行驱动，从而简化控制电路设计。
　　此外，该MOSFET具备优异的热管理和高耐用性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和汽车电子环境。其TO-220封装形式不仅便于散热，也易于安装在标准散热片上，提升系统的长期可靠性。

应用

STF6N62K3广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电池充电器、LED照明驱动器、电动工具控制电路、工业自动化设备以及家用电器中的电机控制模块。由于其具备高电压和中等电流能力，它特别适合用于需要高效能和高稳定性的设计场景，如高频DC-DC转换器、AC-DC整流器及功率因数校正（PFC）电路等。此外，该器件还可用于逆变器系统、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等新能源应用领域。