QPD0007SR 时间：2025/8/15 13:21:31 阅读：23

QPD0007SR 是 Qorvo 公司推出的一款高性能 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于射频功率放大器应用。这款器件在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 的频率范围内工作，适用于 4G/5G 基站、雷达系统、工业加热和医疗设备等多种高频高功率应用场景。QPD0007SR 采用 RoHS 认证的 7mm 塑料封装，具有高效率、高线性度和高可靠性等优点。

参数

工作频率范围：1.8 GHz 至 2.2 GHz
　　漏极电压（Vds）：65 V
　　漏极电流（Id）：典型值 250 mA
　　输出功率：典型值 7 W（在 2 GHz）
　　增益：典型值 20 dB（在 2 GHz）
　　效率：典型值 65%
　　封装形式：7 mm 塑料封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

QPD0007SR 是基于 GaN 技术的射频功率晶体管，具有出色的高频性能和热稳定性。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 技术，使其在高频工作下仍能保持高效和稳定。其 7 mm 塑料封装设计不仅降低了成本，还提高了散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
　　QPD0007SR 在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 频率范围内表现出色，输出功率可达 7 W，增益为 20 dB，效率高达 65%。这些特性使其成为 4G/5G 通信基站、雷达系统、测试设备以及工业和医疗射频应用的理想选择。
　　此外，QPD0007SR 具有良好的线性度和失真性能，适用于需要高信号完整性的通信系统。它还具有良好的热管理和过热保护能力，确保在高负载条件下仍能可靠运行。