容量：18Mb（512K x 36位）
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：6.5ns、7.5ns、10ns可选
　　封装类型：165-TQFP
　　工作温度：工业级 -40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　组织结构：x36位数据宽度
　　最大读取电流：约300mA（典型值）
　　待机电流：约10mA（典型值）

GM71VS18163CLJ6 具备多项优异特性，首先是其高速访问能力，支持6.5ns的访问时间，适合对速度要求较高的应用环境。其异步SRAM架构提供了灵活的控制信号，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），便于与多种主控系统连接。
　　其次，该芯片采用低功耗CMOS工艺，在保证高速运行的同时，显著降低了功耗，支持待机模式以进一步节省能耗，适用于对功耗敏感的嵌入式和便携设备。
　　此外，其165引脚TQFP封装设计有助于提高系统集成度，并具备良好的热稳定性和电气性能。芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在严苛环境下稳定运行，具备较高的可靠性和稳定性。
　　最后，该芯片支持3.3V电源供电，兼容多种电源管理方案，并具备数据保持电压范围，适用于电池供电或需要数据保持的应用场景。

该芯片主要面向需要高速缓存和高可靠性的应用，如通信设备中的帧缓存、路由器和交换机的数据缓冲、工业控制系统中的实时数据存储、测试仪器的高速数据采集缓存、图形处理设备的帧缓存等。此外，也可用于嵌入式系统的临时数据存储、高速数据转换器的接口缓存、以及医疗设备和航空航天设备中的关键数据缓存。由于其低功耗和高速特性，GM71VS18163CLJ6也适用于需要长时间运行且对稳定性要求极高的系统。

ISSI IS61WV51236BLL-6T、Alliance AS7C351236A-6TC、Cypress CY7C1315KV18-67BZXC、Renesas IDT71V41636A-6B