FN15N3R6C500PNG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用设计。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于电源管理、电机驱动和电信设备等领域。该器件采用先进的制造工艺,确保在高频率和高功率条件下仍能保持稳定性能。
这款MOSFET属于N沟道增强型,其封装形式为标准的PN包封,能够有效提升散热性能并简化电路板布局。通过优化的栅极电荷设计,FN15N3R6C500PNG能够在各种复杂的工作环境下提供出色的效率和可靠性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:15A
导通电阻:3mΩ
栅极电荷:40nC
总电容:250pF
工作结温范围:-55℃ to +175℃
封装形式:PNG
FN15N3R6C500PNG的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3mΩ),可显著降低功耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场景,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
3. 优秀的热稳定性,能在高温环境下持续运行,延长产品寿命。
4. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
此外,该器件还具备良好的雪崩能力和短路耐受能力,进一步提升了系统的可靠性和安全性。
FN15N3R6C500PNG广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 通信电源模块
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子中的辅助电源单元
由于其出色的性能和可靠性,该芯片特别适合对效率和散热要求较高的应用环境。
IRF3710
STP15NF03L
FDP15N03B