类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：12V
　　最大连续漏极电流（ID）：7.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = 4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS = 10V
　　功耗（PD）：3W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

GN2012A-INTE3 具备多项优秀的电气和物理特性，使其适用于多种高效率功率管理应用。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS = 4.5V 时为 28mΩ，在 VGS = 10V 时更低至 24mΩ。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率，特别是在高电流应用中表现尤为突出。
　　其次，GN2012A-INTE3 支持高达 7.5A 的连续漏极电流，这使其能够处理较大的负载电流，适用于如 DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等高功率密度的设计。
　　此外，该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，这种封装形式不仅支持表面贴装工艺，还具备良好的热性能，有助于快速散热，确保器件在高功率运行时的稳定性。封装的紧凑尺寸也使得该器件非常适合空间受限的应用。
　　GN2012A-INTE3 的栅极驱动电压范围为 1.8V 至 10V，这意味着它可以与多种控制器和驱动电路兼容，包括低压微控制器和标准电源管理 IC。这种灵活性使其在多种应用场景中具有广泛的适用性。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在极端环境条件下仍能可靠运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　最后，该 MOSFET 具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了高频应用的效率。这对于需要高频工作的电源转换器（如同步整流器和 PWM 控制器）尤为重要。

GN2012A-INTE3 适用于多种功率电子应用。其主要应用包括 DC-DC 转换器，用于调节和转换不同电压水平的直流电源；同步整流器，用于提高电源转换效率；负载开关，用于控制大电流负载的接通与断开；电池管理系统，用于便携式设备和电动工具中的电源管理；电机控制，用于调节直流电机的速度和方向；以及在电源管理模块中作为高效的功率开关使用。此外，该器件还可用于电源适配器、充电器、LED 驱动器、工业自动化设备和消费类电子产品。

Si2302DS, AO3400A, FDS6680, BSS138