类型：SRAM
　　容量：18Mb
　　组织结构：1M x 18
　　速度等级：6ns（访问时间）
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：290引脚BGA（Ball Grid Array）
　　工作温度范围：商业级0°C至70°C或工业级-40°C至85°C（具体视后缀而定）
　　接口类型：并行接口
　　数据宽度：18位

GM71CS18163CLJ-6 是一款高性能SRAM芯片，具备低延迟和高速访问能力，访问时间仅为6ns，适合对性能要求较高的嵌入式系统和存储模块。该芯片采用CMOS技术制造，能够在3.3V电源电压下稳定运行，降低了功耗并提高了能效。此外，该芯片支持并行接口模式，提供了较宽的数据带宽，适用于需要大量数据快速存取的场景，如图像处理、高速缓存、通信设备和工业控制系统。
　　其封装形式为290引脚BGA，这种封装方式具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB设计。芯片内部采用高速存储单元设计，确保了在高频工作条件下仍能保持稳定的数据读写性能。此外，该器件具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂电磁环境下保持数据的完整性。
　　在功能方面，GM71CS18163CLJ-6 支持同步和异步两种操作模式，用户可根据系统需求选择合适的控制方式。同时，该芯片具备自动省电功能，在无操作时可自动进入低功耗模式，从而进一步降低系统功耗。这使得它在便携式设备或对功耗敏感的应用中也具有良好的适应性。

该芯片广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统中，如网络设备、路由器、交换机、工业控制设备、测试测量仪器、视频图像处理设备等。由于其18位数据宽度和高速访问特性，它特别适合用于缓存、帧缓冲、数据缓冲等对速度和带宽要求较高的场景。此外，该芯片也可用于高性能计算模块、嵌入式视觉系统、通信基站、数字信号处理（DSP）平台等需要高速临时存储的场合。

IS61WV102418BLL-6TFI、CY7C1380D-6B4I、IDT71V1216SA-6B、AS7C31026C-6TC、CY7C1370B-6B4I