容量：128Kbit
　　组织方式：16K x 8
　　供电电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54-Pin TSOP
　　接口类型：并行接口
　　刷新模式：无需刷新（SRAM特性）
　　最大工作频率：约14.28 MHz（基于访问时间计算）

GM76C8128CLLT-70 是一款高性能的静态随机存取存储器芯片，适用于对数据存取速度有较高要求的应用场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高稳定性以及高速存取能力等优点。其访问时间仅为70纳秒，能够满足高速数据交换的需求。此外，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适用于多种电源环境，增强了其在不同应用中的兼容性。
　　该芯片的封装形式为54引脚TSOP封装，适用于表面贴装工艺，适合用于紧凑型PCB设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，适用于工业级应用。GM76C8128CLLT-70 的组织结构为16K x 8位，提供128Kbit的存储容量，适合用于需要快速读写的数据缓冲、缓存存储等场景。
　　由于SRAM的特性，该芯片无需刷新操作，数据在上电状态下保持不变，这降低了系统设计的复杂性并提高了可靠性。此外，该芯片具有良好的抗干扰能力和较高的数据保持稳定性，适用于各种恶劣环境条件下的应用。

GM76C8128CLLT-70 SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、测试仪器、网络设备以及消费类电子产品。在嵌入式系统中，它可以用作高速缓存或临时数据存储器，以提高系统的运行效率。在工业控制和自动化设备中，该芯片可提供快速可靠的数据存储，确保系统在复杂环境下稳定运行。通信设备中使用该芯片可以提升数据传输和处理的速度，提高通信效率。此外，它也适用于医疗电子设备、汽车电子系统、数据采集系统等对数据存储速度和稳定性要求较高的应用场景。

IS61LV128AL-70B4I, CY7C1021GN-70ZSXC, IDT71V128SA70PFGI