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STB30NF20L 发布时间 时间:2025/7/22 15:05:49 查看 阅读:7

STB30NF20L是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种功率电子设备中。该器件采用先进的STripFET技术,提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于高效率和高性能的电源管理系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):200V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):0.065Ω(最大值)
  功率耗散(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220

特性

STB30NF20L具有多项优良特性,包括低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。其低导通电阻能够减少功率损耗,提高系统效率。该MOSFET的高电流承载能力使其适合用于高功率密度应用。此外,该器件采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,可以在较高的环境温度下稳定工作。
  这款MOSFET还具备优异的耐用性和可靠性,适用于恶劣的工作环境。其栅极设计可承受较高的电压应力,确保在高频开关应用中保持稳定的性能。STB30NF20L还具备快速开关能力,适用于高频率的开关电源和DC-DC转换器。

应用

STB30NF20L常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和逆变器等应用中。由于其高效率和高可靠性,该MOSFET在工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。例如,在电动车充电系统中,它可用于高效能功率转换模块;在家电产品中,可以作为功率开关元件,提高整体能效。

替代型号

STB30NF20L的替代型号包括IRF30020L、FDP30N20以及STB35NF20L。这些型号在电气参数和性能上与STB30NF20L相近,可以根据具体应用需求进行选择和替换。

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STB30NF20L参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥27.67000剪切带(CT)1,000 : ¥14.59976卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, STripFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)75 毫欧 @ 15A,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)65 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1990 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB