LDTC144TM3T5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款双极性晶体管阵列器件。该器件内部集成了两个NPN晶体管,采用SOT-23-5(也称为SC-74A)封装,非常适合用于通用开关和放大应用。由于其紧凑的封装和低功耗设计,LDTC144TM3T5G广泛应用于便携式电子设备、通信设备和工业控制系统中。
类型:双极性晶体管(NPN)
配置:双晶体管阵列
集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Pd):300mW
频率响应:100MHz(典型)
电流增益(hFE):在Ic=2mA时,hFE=110~800(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23-5
LDTC144TM3T5G 是一款高集成度的双NPN晶体管器件,具有以下显著特性:
首先,其内部集成了两个独立的NPN晶体管,能够有效减少电路板空间占用,适合高密度电路设计。每个晶体管均具有独立的引脚配置,可以灵活用于各种电路拓扑结构。
其次,该器件具有良好的电气性能,最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,适用于中低功率的放大和开关应用。其高频响应可达100MHz,使其在射频和高速开关电路中也能表现出色。
此外,LDTC144TM3T5G采用SOT-23-5封装,具有优异的热稳定性和机械可靠性。其工作温度范围宽达-55°C至150°C,适用于严苛的工业环境。
该器件的电流增益(hFE)范围广泛,根据不同的等级划分,hFE可在110至800之间变化,从而满足不同应用场景对放大倍数的需求。这使得该器件在模拟放大和数字开关电路中都具有良好的适应性。
最后,LDTC144TM3T5G具有低功耗特性,能够在电池供电设备中有效延长使用时间。其300mW的最大功耗设计,使其在多种电源管理应用中表现出色。
LDTC144TM3T5G 广泛应用于多个电子领域。在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和穿戴设备,该器件可用于电源管理、信号放大和逻辑控制。在通信设备中,该器件可用于射频信号放大和调制解调电路。工业控制系统中,该器件可用于传感器信号处理、继电器驱动和逻辑门电路。此外,它还常用于LED驱动、音频放大、电机控制以及数字开关电路中。
2N3904, BC547, MMBT3904, 2N2222, PN2222