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GA0805A390GXABP31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:19:08 查看 阅读:9

GA0805A390GXABP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电源管理场景,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电机驱动等应用。
  这款MOSFET芯片属于N沟道增强型场效应晶体管,其优化的结构能够显著降低功耗并提升系统整体性能。

参数

型号:GA0805A390GXABP31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):65nC
  输入电容(Ciss):2200pF
  反向传输电容(Crss):35pF
  输出电容(Coss):120pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA0805A390GXABP31G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合,降低开关损耗。
  3. 高度可靠的封装形式,提供良好的散热性能和机械强度。
  4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
  5. 内置ESD保护电路,提升器件的抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。

应用

该芯片广泛应用于各种电源管理和功率转换领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS),如笔记本电脑适配器、液晶电视电源模块等。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子设备或工业控制中的电压调节。
  3. 电机驱动电路,如家用电器中的无刷直流电机控制。
  4. 光伏逆变器中的功率级组件。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  6. 各类负载切换和保护电路。

替代型号

GA0805A391GXABP31G, IRF840, STP55NF06L

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GA0805A390GXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容39 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-