GA0805A390GXABP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电源管理场景,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电机驱动等应用。
这款MOSFET芯片属于N沟道增强型场效应晶体管,其优化的结构能够显著降低功耗并提升系统整体性能。
型号:GA0805A390GXABP31G
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总栅极电荷(Qg):65nC
输入电容(Ciss):2200pF
反向传输电容(Crss):35pF
输出电容(Coss):120pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
GA0805A390GXABP31G具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用场合,降低开关损耗。
3. 高度可靠的封装形式,提供良好的散热性能和机械强度。
4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
5. 内置ESD保护电路,提升器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。
该芯片广泛应用于各种电源管理和功率转换领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS),如笔记本电脑适配器、液晶电视电源模块等。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子设备或工业控制中的电压调节。
3. 电机驱动电路,如家用电器中的无刷直流电机控制。
4. 光伏逆变器中的功率级组件。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
6. 各类负载切换和保护电路。
GA0805A391GXABP31G, IRF840, STP55NF06L