时间：2025/12/28 21:10:56
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GM5JS95200AE是一款由Giantec（巨积）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、电池管理系统、负载开关、马达控制等领域。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于高效率、高可靠性的电源转换系统。封装形式为DFN5x6，具有较小的封装体积和良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：20mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN5x6
功率耗散(PD)：4W
阈值电压(VGS(th))：0.5V ~ 1.5V
GM5JS95200AE具备低导通电阻（RDS(on)）特性，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。其DFN5x6封装设计不仅节省空间，还通过底部散热焊盘有效提升热传导效率，增强器件的热稳定性。该MOSFET具有较高的电流承载能力和优异的开关特性，适合用于高频开关应用。此外，其栅极氧化层设计支持稳定的栅极控制，确保在各种工作条件下具有良好的导通和关断性能。器件的耐温范围宽，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境应用。
该MOSFET适用于多种电源管理场合，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路、电源分配系统以及便携式电子设备中的高效电源模块。由于其良好的导通特性和热性能，也常用于需要高效能和高可靠性的工业控制和通信设备电源系统中。
Si2302DS、AO3400、IRLML6401、FDMS8880
