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IS46TR16256BL-125KBLA2 发布时间 时间:2025/9/1 9:00:21 查看 阅读:5

IS46TR16256BL-125KBLA2 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,其规格为16M x 16位,采用BGA封装,适用于对速度和功耗敏感的应用场景。

参数

容量:16M x 16位
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:125MHz
  封装类型:BGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据输入/输出:16位
  时钟频率:125MHz
  功耗:低功耗设计
  刷新周期:64ms
  

特性

IS46TR16256BL-125KBLA2具备高速数据访问能力,最高时钟频率可达125MHz,适用于需要快速数据处理的系统。该芯片采用低功耗设计,支持多种节能模式,包括自动刷新和自刷新模式,适用于嵌入式系统、网络设备和通信设备等对功耗敏感的应用。其BGA封装形式提供了良好的散热性能和空间节省,同时具有高可靠性和工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于恶劣环境下的稳定运行。
  此外,该芯片支持标准的DRAM控制信号,如RAS、CAS、WE等,便于与主控芯片进行接口连接。其内置的突发模式支持多种突发长度,提高了数据传输效率。IS46TR16256BL-125KBLA2 还支持可配置的预充电模式和自动刷新控制,有助于简化系统设计并提高系统稳定性。

应用

IS46TR16256BL-125KBLA2 广泛应用于通信设备(如路由器、交换机)、工业控制设备、嵌入式系统、多媒体设备(如数字电视、机顶盒)、网络设备和测试仪器等领域。其高速存取能力和低功耗特性使其成为对性能和功耗都有较高要求的应用场景的理想选择。

替代型号

IS46S16256A-125KBLA2、IS46S16256C-125KBLA2

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IS46TR16256BL-125KBLA2产品

IS46TR16256BL-125KBLA2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格190 : ¥78.05258托盘
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)