时间：2025/9/13 20:45:13
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NHDTC114YUF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的射频（RF）晶体管。该晶体管设计用于高频应用，具有良好的增益和低噪声特性，适用于射频放大器、混频器、振荡器以及各类通信设备中的信号处理电路。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
频率（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：80 - 800（根据工作电流不同）
噪声系数（NF）：0.5 dB（典型值）
封装类型：SOT-23
NHDTC114YUF 晶体管具备出色的高频性能，其截止频率（fT）可达 250 MHz，使其适用于射频和中频放大电路。该器件的低噪声系数（典型值为 0.5 dB）使其在低噪声放大器设计中表现优异，尤其是在无线通信、广播接收器和测试仪器中。
此外，NHDTC114YUF 采用 SOT-23 小型封装，适用于高密度 PCB 设计，并具有良好的热稳定性和可靠性。其宽范围的电流增益（hFE）在 80 到 800 之间，使得设计者可以根据具体应用选择合适的工作点。
该晶体管还具备较低的基极电阻和优化的发射极结构，有助于提高高频响应和减少信号失真。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品制造。
NHDTC114YUF 主要应用于射频前端电路，如低噪声放大器（LNA）、中频放大器、混频器和振荡器。其高频性能和低噪声特性使其成为无线通信设备、卫星接收器、无线局域网（WLAN）模块、蓝牙模块、FM 接收器和各类测试测量仪器中的理想选择。
在实际应用中，该晶体管常用于 VHF/UHF 频段的信号放大和处理。例如，在无线基站、便携式通信设备和射频识别（RFID）系统中，NHDTC114YUF 能够提供稳定可靠的信号增益。
由于其 SOT-23 封装体积小巧，该器件也适用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和穿戴式设备中的射频前端模块。
BC847, 2N3904, BFQ54, BFR181
