ESDB15V0D3 是一款超低电容 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,专为高速信号线和射频应用设计。它能够有效保护敏感的电子设备免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态电压脉冲的损害。
该器件采用小尺寸封装,具有极低的电容特性,非常适合用于高速数据接口保护,如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 和其他高频信号线路。其单向 TVS 结构使其特别适用于直流供电电路或单向信号路径中的保护。
类型:TVS 二极管
工作电压(VRWM):15V
击穿电压(VBR):16.1V
最大箝位电压(VC):24.9V
峰值脉冲电流(IPP):67A
结电容(Cj):0.3pF
响应时间:≤1ps
最大反向漏电流(ID):1μA(@15V)
封装:DFN1006-2 (1.0x0.6mm)
工作温度范围:-55℃至+150℃
ESDB15V0D3 的主要特性包括:
1. 极低电容(仅 0.3pF),适合高速数据线路保护。
2. 快速响应时间(≤1ps),可迅速抑制瞬态电压脉冲。
3. 高峰值脉冲电流能力(67A),确保在强浪涌环境下仍能提供可靠保护。
4. 小型封装(DFN1006-2),节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适应各种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
7. 单向结构,适用于直流电路或单向信号线路保护。
ESDB15V0D3 广泛应用于以下领域:
1. 高速数据接口保护,如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt 等。
2. 移动设备中的射频线路保护,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
3. 工业控制设备中的信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的 ESD 和浪涌保护。
5. 网络通信设备中的瞬态电压防护。
6. 其他需要低电容保护的高频信号线路应用。
ESDA8V0S3B, PESD5V0S1B