时间：2025/8/28 17:05:13
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GM5GC03210Z 是一颗由 Giantec Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这颗器件设计用于中高功率的开关应用，具有良好的导通特性和快速的开关速度，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等电路。其采用先进的沟槽式技术，优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间的平衡，使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：210A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
功率耗散（Pd）：250W
漏极电荷（Qg）：95nC（典型值）
输入电容（Ciss）：4800pF（典型值）
GM5GC03210Z 具备一系列高性能特性，使其适用于各种高功率密度和高效能的开关应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件具有高电流承载能力，额定漏极电流高达 210A，适用于需要高负载能力的电源系统。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为 10V），便于与各种驱动电路配合使用。其 TO-263 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。GM5GC03210Z 还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持良好的性能，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。最后，其设计优化了开关损耗，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电机控制等。
GM5GC03210Z 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
? 高效率电源供应器（PSU）
? 同步整流器
? DC-DC 升压/降压转换器
? 电池管理系统（BMS）
? 电动工具和电动车电机控制
? 负载开关和热插拔保护电路
? 工业自动化和伺服驱动器
? 服务器和通信设备电源模块
SiHF340N03LT, SQJ428E-T2_GE3
