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GJM0335C1H1R3WB01D 发布时间 时间:2025/7/10 9:44:16 查看 阅读:15

GJM0335C1H1R3WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,主要用于高效能开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,可显著提升系统的效率和可靠性。
  其封装形式为行业标准的DFN8封装,能够提供出色的散热性能和紧凑的空间占用,非常适合对尺寸敏感的应用场景。

参数

型号:GJM0335C1H1R3WB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:30V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:17A(@Tc=25℃)
  导通电阻Rds(on):1.3mΩ(@Vgs=10V)
  总栅极电荷Qg:6nC
  输入电容Ciss:1390pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:DFN8

特性

GJM0335C1H1R3WB01D具备超低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  该器件支持高频开关操作,得益于其快速开关特性和较低的栅极电荷。
  同时,它具有出色的热稳定性,即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
  此外,其坚固的封装结构和ESD保护设计使其适用于各种严苛的工作条件。
  此MOSFET还支持低至4.5V的栅极驱动电压,增强了其在电池供电设备中的适用性。

应用

该芯片广泛应用于开关电源适配器、笔记本电脑电源管理、电动工具驱动、工业自动化控制、消费类电子产品以及汽车电子等领域。
  其典型应用场景包括同步整流电路、降压/升压转换器、负载开关和电池保护电路等。
  GJM0335C1H1R3WB01D凭借其高效的性能表现,在需要大电流输出和高频率切换的场合中表现出色。

替代型号

GJM0335C1H1R3WB01A, GJM0335C1H1R3WB01B

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GJM0335C1H1R3WB01D参数

  • 现有数量14,400现货
  • 价格1 : ¥1.11000剪切带(CT)15,000 : ¥0.16171卷带(TR)
  • 系列GJM
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容1.3 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-