时间：2025/7/10 9:44:16
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GJM0335C1H1R3WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，主要用于高效能开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力，可显著提升系统的效率和可靠性。
其封装形式为行业标准的DFN8封装，能够提供出色的散热性能和紧凑的空间占用，非常适合对尺寸敏感的应用场景。
型号：GJM0335C1H1R3WB01D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：17A（@Tc=25℃）
导通电阻Rds(on)：1.3mΩ（@Vgs=10V）
总栅极电荷Qg：6nC
输入电容Ciss：1390pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：DFN8
GJM0335C1H1R3WB01D具备超低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
该器件支持高频开关操作，得益于其快速开关特性和较低的栅极电荷。
同时，它具有出色的热稳定性，即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
此外，其坚固的封装结构和ESD保护设计使其适用于各种严苛的工作条件。
此MOSFET还支持低至4.5V的栅极驱动电压，增强了其在电池供电设备中的适用性。
该芯片广泛应用于开关电源适配器、笔记本电脑电源管理、电动工具驱动、工业自动化控制、消费类电子产品以及汽车电子等领域。
其典型应用场景包括同步整流电路、降压/升压转换器、负载开关和电池保护电路等。
GJM0335C1H1R3WB01D凭借其高效的性能表现，在需要大电流输出和高频率切换的场合中表现出色。
GJM0335C1H1R3WB01A, GJM0335C1H1R3WB01B
