GJM0335C1H1R3WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,主要用于高效能开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,可显著提升系统的效率和可靠性。
其封装形式为行业标准的DFN8封装,能够提供出色的散热性能和紧凑的空间占用,非常适合对尺寸敏感的应用场景。
型号:GJM0335C1H1R3WB01D
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds:30V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:17A(@Tc=25℃)
导通电阻Rds(on):1.3mΩ(@Vgs=10V)
总栅极电荷Qg:6nC
输入电容Ciss:1390pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:DFN8
GJM0335C1H1R3WB01D具备超低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
该器件支持高频开关操作,得益于其快速开关特性和较低的栅极电荷。
同时,它具有出色的热稳定性,即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
此外,其坚固的封装结构和ESD保护设计使其适用于各种严苛的工作条件。
此MOSFET还支持低至4.5V的栅极驱动电压,增强了其在电池供电设备中的适用性。
该芯片广泛应用于开关电源适配器、笔记本电脑电源管理、电动工具驱动、工业自动化控制、消费类电子产品以及汽车电子等领域。
其典型应用场景包括同步整流电路、降压/升压转换器、负载开关和电池保护电路等。
GJM0335C1H1R3WB01D凭借其高效的性能表现,在需要大电流输出和高频率切换的场合中表现出色。
GJM0335C1H1R3WB01A, GJM0335C1H1R3WB01B