MRFE6VP8600HSR5 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的高功率射频(RF)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。该器件专为在高频应用中提供高线性度和高效率而设计,适用于无线基础设施、基站放大器、广播系统和其他高功率射频发射设备。MRFE6VP8600HSR5 采用先进的LDMOS技术,能够在880 MHz至960 MHz的频率范围内工作,具备出色的热稳定性和可靠性。
类型:LDMOS RF功率晶体管
制造商:NXP Semiconductors
封装类型:表面贴装(Surface Mount)
频率范围:880 MHz - 960 MHz
输出功率:600 W(典型值)
漏极电压:VDS = 28 V
漏极电流:ID = 3.8 A(脉冲)
增益:约27 dB
效率:约40%
输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大)
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
MRFE6VP8600HSR5是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管,具有多项显著的性能优势。首先,该器件能够在880 MHz至960 MHz的高频范围内工作,支持多种无线通信标准,如GSM、W-CDMA和LTE。其高输出功率(600 W)和高效率(约40%)使得它在高功率放大器应用中表现出色,能够减少功耗并提高系统整体能效。
此外,MRFE6VP8600HSR5采用了先进的LDMOS工艺技术,提供了优异的线性度和热稳定性,这在多载波和宽带应用中尤为重要。器件的输入驻波比(VSWR)最大为2.5:1,表明其在不同负载条件下仍能保持良好的匹配性能,减少反射功率对系统的影响。
该晶体管的封装设计适合表面贴装(SMT)工艺,简化了PCB布局和组装流程,提高了生产效率和可靠性。同时,其宽广的工作温度范围(-65°C至+150°C)确保了在各种环境条件下的稳定运行,适用于严苛的工业和户外应用场景。
MRFE6VP8600HSR5还具有高耐用性和抗失配能力,能够承受一定程度的输出端口失配而不会损坏,这在实际应用中尤其重要,特别是在基站和广播设备中。此外,其高增益(约27 dB)减少了对前级放大器的要求,简化了系统设计并降低了整体成本。
MRFE6VP8600HSR5主要用于高功率射频放大器系统,特别适用于移动通信基站、广播发射器、工业和科学设备等需要高线性度和高效率的场合。由于其在880 MHz至960 MHz频段的良好性能,该器件广泛应用于GSM 900 MHz、W-CDMA、LTE等无线通信标准的功率放大模块。此外,它也可用于雷达、测试设备和高功率射频加热系统等专业领域。
MRFE6VP8600H、MRFE6VP8600N、MRFE6VP8600HR