DTC114E是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别。该晶体管通常用于开关和放大应用,适用于需要高速开关性能和良好稳定性的电路设计。DTC114E的封装形式为SOT-23,这使得它非常适合用于高密度PCB布局和表面贴装技术(SMT)。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50V
最大集电极-基极电压(Vcb):50V
最大功耗(Pd):200mW
最大工作温度:150°C
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
封装类型:SOT-23
DTC114E晶体管具有多种优良特性,使其在电子电路中具有广泛的应用。首先,其高电流增益(hFE)范围为110至800,这取决于具体的等级划分,这使得它在放大电路中能够提供出色的性能。晶体管的高频响应能力(fT为100MHz)也使其适用于高频信号放大和处理。
其次,DTC114E的封装形式为SOT-23,这是一种小型化且易于安装的封装形式,适用于表面贴装技术。这种封装不仅节省空间,还能提供良好的散热性能,从而提高晶体管的可靠性和稳定性。
此外,DTC114E的额定电压和电流特性使其能够胜任多种通用开关和放大任务。其最大集电极-发射极电压(Vce)和集电极-基极电压(Vcb)均为50V,这使得它能够适应较高的电压应用环境。最大集电极电流为100mA,足以满足许多低功率电路的需求。
最后,该晶体管的最大功耗为200mW,这在小型封装晶体管中是一个相对较高的值,表明其能够在较高的工作条件下保持稳定运行。
DTC114E晶体管广泛应用于多个领域。在放大电路中,它可以用于音频放大器、信号放大器和其他低噪声放大器。在开关电路中,DTC114E可用于控制负载的通断,例如驱动LED、继电器或小型电机。此外,它还适用于数字逻辑电路和嵌入式系统中的信号处理和转换。
在消费电子领域,DTC114E可用于设计遥控器、玩具、家用电器和其他便携式设备的电子控制电路。在工业自动化领域,该晶体管可以用于传感器信号处理、继电器驱动和工业控制系统中的信号调节。此外,DTC114E在通信设备中也有重要应用,例如在无线通信模块的射频信号放大电路中使用。
DTC114EU, DTC114EE, BC847, 2N3904