IDT70T3319S166BF 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高速同步双端口静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)。该器件属于IDT的高速SRAM系列,广泛应用于需要高速数据访问和双端口操作的通信、网络和工业控制系统中。该SRAM支持两个独立的端口,允许同时访问存储器,从而提高系统效率和吞吐量。IDT70T3319S166BF采用高速CMOS工艺制造,具有低功耗和高性能的特点。
容量:18K × 18位
组织结构:256K × 18位
访问时间:166 MHz
电源电压:3.3V
封装类型:166引脚 BGA
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
最大访问延迟:5.4 ns
数据输入/输出类型:同步
端口类型:双独立端口
IDT70T3319S166BF 是一款专为高性能系统设计的双端口SRAM,其主要特性包括高速访问、低功耗设计和灵活的双端口架构。该芯片的访问速率达166 MHz,适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。其双端口结构允许两个独立的主机或控制器同时访问内存,极大提升了数据传输效率。此外,该器件采用先进的CMOS工艺制造,不仅提高了运行速度,还有效降低了功耗,使其适用于对功耗敏感的系统设计。
这款SRAM还集成了多种功能,如片选(Chip Enable)、写使能(Write Enable)和输出使能(Output Enable),便于用户进行灵活的系统集成。IDT70T3319S166BF 还具备自动低功耗模式,当端口未被使用时,可自动进入低功耗状态以节省能耗。其封装形式为166引脚BGA,适用于高密度PCB布局,同时支持工业级温度范围,确保在各种环境条件下稳定运行。
在数据完整性方面,该器件支持奇偶校验功能,提供更高的数据可靠性。这一特性在通信系统和高可靠性工业控制设备中尤为重要。IDT70T3319S166BF 的设计充分考虑了高速系统中信号完整性和时序控制的需求,支持精确的时钟同步操作,减少了时序误差的可能性。
IDT70T3319S166BF 主要用于需要高速数据缓冲和双端口访问的系统中,例如通信设备中的数据缓存、网络交换设备、高速工业控制器以及测试测量设备等。由于其支持双端口操作和高速访问,该芯片非常适合用于实现双处理器系统之间的共享内存,提升系统间数据交换的效率。在通信系统中,该SRAM常用于缓存高速传输的数据流,确保数据处理的实时性和稳定性。此外,该器件还可用于高速数据采集系统、嵌入式系统和工业自动化控制平台等应用场景。
CY7C09449, IDT70T3318S133BC, IDT70T3320S166BF