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IDT70T3319S166BF 发布时间 时间:2025/9/3 22:00:02 查看 阅读:5

IDT70T3319S166BF 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高速同步双端口静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)。该器件属于IDT的高速SRAM系列,广泛应用于需要高速数据访问和双端口操作的通信、网络和工业控制系统中。该SRAM支持两个独立的端口,允许同时访问存储器,从而提高系统效率和吞吐量。IDT70T3319S166BF采用高速CMOS工艺制造,具有低功耗和高性能的特点。

参数

容量:18K × 18位
  组织结构:256K × 18位
  访问时间:166 MHz
  电源电压:3.3V
  封装类型:166引脚 BGA
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大访问延迟:5.4 ns
  数据输入/输出类型:同步
  端口类型:双独立端口

特性

IDT70T3319S166BF 是一款专为高性能系统设计的双端口SRAM,其主要特性包括高速访问、低功耗设计和灵活的双端口架构。该芯片的访问速率达166 MHz,适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。其双端口结构允许两个独立的主机或控制器同时访问内存,极大提升了数据传输效率。此外,该器件采用先进的CMOS工艺制造,不仅提高了运行速度,还有效降低了功耗,使其适用于对功耗敏感的系统设计。
  这款SRAM还集成了多种功能,如片选(Chip Enable)、写使能(Write Enable)和输出使能(Output Enable),便于用户进行灵活的系统集成。IDT70T3319S166BF 还具备自动低功耗模式,当端口未被使用时,可自动进入低功耗状态以节省能耗。其封装形式为166引脚BGA,适用于高密度PCB布局,同时支持工业级温度范围,确保在各种环境条件下稳定运行。
  在数据完整性方面,该器件支持奇偶校验功能,提供更高的数据可靠性。这一特性在通信系统和高可靠性工业控制设备中尤为重要。IDT70T3319S166BF 的设计充分考虑了高速系统中信号完整性和时序控制的需求,支持精确的时钟同步操作,减少了时序误差的可能性。

应用

IDT70T3319S166BF 主要用于需要高速数据缓冲和双端口访问的系统中,例如通信设备中的数据缓存、网络交换设备、高速工业控制器以及测试测量设备等。由于其支持双端口操作和高速访问,该芯片非常适合用于实现双处理器系统之间的共享内存,提升系统间数据交换的效率。在通信系统中,该SRAM常用于缓存高速传输的数据流,确保数据处理的实时性和稳定性。此外,该器件还可用于高速数据采集系统、嵌入式系统和工业自动化控制平台等应用场景。

替代型号

CY7C09449, IDT70T3318S133BC, IDT70T3320S166BF

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IDT70T3319S166BF参数

  • 数据列表IDT70T3339/19/99S
  • 标准包装7
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量4.5M(256K x 18)
  • 速度166MHz
  • 接口并联
  • 电源电压2.4 V ~ 2.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳208-LFBGA
  • 供应商设备封装208-CABGA(15x15)
  • 包装托盘
  • 其它名称70T3319S166BF