时间：2025/8/28 11:26:46
阅读：20
GM4BW63363A是一款由日本松下公司生产的功率MOSFET，适用于高效率的功率转换和电源管理系统。该器件采用了先进的制造工艺，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合在工业自动化、电力设备和通信系统中使用。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.36Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V~6V
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C~150°C
GM4BW63363A具备多项优良特性，包括高耐压能力，确保在高压环境下稳定运行；低导通电阻减少了功率损耗，提高了整体效率；其封装设计有助于良好的散热性能，延长了器件的使用寿命；此外，该器件的栅极驱动简单，易于集成到各种电路设计中。
此MOSFET的可靠性高，适用于需要长时间连续工作的工业设备。其热阻低，能够在高温环境下保持稳定性能，适合用于电源转换器、电机驱动和负载开关等应用。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，使其在异常工作条件下也能提供可靠的保护。
GM4BW63363A广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、逆变器、直流电机控制器、工业自动化系统、照明控制系统以及家用电器中的功率管理模块。
IXTP14N60B3、STP15NK60ZFP、FQP15N60C3
