HMR105B7103KV-F 是一种基于巨磁阻抗效应(Giant Magneto-Impedance,GMI)技术的线性霍尔效应传感器芯片。该芯片能够在较宽的工作范围内提供高精度和线性的磁场检测能力,适合用于电流测量、位置传感以及其他需要精确磁场感应的应用场景。这种芯片具有低功耗、小封装以及出色的温度稳定性等特性。
相比传统的霍尔元件,HMR系列芯片采用的是薄膜材料和先进的制造工艺,从而显著提升了灵敏度和动态范围,使其在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中得到广泛应用。
工作电压:4.5V 至 5.5V
输出灵敏度:4.2mV/mT(典型值)
带宽:5kHz
温度范围:-40℃ 至 +150℃
封装形式:TO-92S
静态工作电流:6mA
最大输入磁场:±250mT
HMR105B7103KV-F 芯片具备以下主要特点:
1. 高灵敏度:能够以毫特斯拉为单位精确检测磁场变化。
2. 宽动态范围:支持从低磁场到高达±250mT的磁场检测。
3. 线性输出:其输出信号与磁场强度之间呈现高度线性关系,确保了测量的准确性。
4. 温度补偿:内置温度补偿电路,在极端温度条件下依然可以保持良好的性能。
5. 小型化设计:采用 TO-92S 封装,体积小巧,易于集成到各种应用系统中。
6. 低噪声:内部集成了滤波电路,减少了外部干扰对测量结果的影响。
7. 高可靠性:经过严格测试,适用于工业级和汽车级应用环境。
HMR105B7103KV-F 的典型应用场景包括但不限于以下领域:
1. 电流传感:利用磁场与电流之间的关系,实现非接触式电流测量,广泛应用于电力监控设备。
2. 位置检测:可用于旋转编码器、角度传感器等需要精确位移或角度测量的场合。
3. 汽车电子:如电机控制、变速箱位置反馈、刹车系统监测等。
4. 工业自动化:例如机器人关节角度检测、液位计以及各类过程控制系统中的磁场检测。
5. 消费类产品:手机配件、智能家居设备中的小型化磁场传感器需求。
HMR105B7103KV-F 凭借其卓越的性能表现,在上述领域展现出了极高的实用价值。
HMR105B7102KV-F, HMR105B7104KV-F