类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　标称齐纳电压：8.2V
　　最大齐纳电流（IZM）：约50mA（具体值视制造商而定）
　　最大耗散功率：500mW（DO-41）或300mW（SOD-123）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-41（直插式）或SOD-123（贴片式）
　　极性：阴极（Cathode）与阳极（Anode）
　　电压容差：±5% 或 ±2%（视型号后缀而定）

GLZ8.2C 齐纳二极管具有稳定的电压输出特性，在额定电流范围内能够维持近似恒定的电压。该器件的齐纳电压为8.2V，适用于中等电压的稳压和参考应用。齐纳二极管的反向击穿特性是可逆的，只要工作电流不超过最大额定值，器件就不会损坏。此外，GLZ8.2C 具有良好的温度稳定性和快速响应能力，适用于电源管理、电压监测、过压保护等场合。
　　其封装形式通常为DO-41（直插型）或SOD-123（表面贴装型），便于在不同类型的电路板上安装。齐纳二极管在工作时需要串联一个限流电阻，以确保通过器件的电流在安全范围内。由于其结构简单、成本低廉，GLZ8.2C 被广泛应用于模拟电路和数字电路中的稳压环节。

GLZ8.2C 主要用于以下应用场景：作为低功率稳压电路的核心元件，提供稳定的8.2V参考电压；在电源电路中作为基准电压源，用于比较器或误差放大器的参考输入；在电池供电设备中用于电压监测和保护；在运算放大器电路中作为偏置电压源；以及在各种电子设备中作为过压保护元件，限制电路中的电压波动，保护敏感的电子器件不受损坏。

BZX84-C8V2, 1N4735A, MMSZ5237B