时间：2025/5/12 13:17:37
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NBSG86AMNHTBG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提高系统的功率密度并降低能量损耗。
该芯片采用了先进的封装技术，具备出色的热性能和电气性能，适合需要高功率密度和高效能的应用场景。
型号：NBSG86AMNHTBG
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：650V
额定电流：80A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：7nC（典型值）
最大工作温度：175°C
封装形式：PQFN 8x8mm
1. 极低的导通电阻，仅为4.5mΩ，可以有效减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，栅极电荷仅为7nC，有助于降低开关损耗。
3. 额定电压为650V，适用于宽范围的输入电压应用场景。
4. 内置优化的ESD保护功能，提高了产品的可靠性。
5. 先进的封装设计提供了良好的散热性能，支持更高功率的应用。
6. 支持高频开关操作，适合高效率功率转换需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 服务器和通信设备中的电源模块
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电装置
6. 工业电机驱动及控制
7. 高频谐振转换器
NBSG85T065SMD, EPC2052, GaN Systems GS66508T
