时间：2025/12/22 17:04:35
阅读：21
GLFR2012T150M-LR是一款由Goworld Electronics生产的表面贴装铁氧体磁珠，专为高频噪声抑制和电磁干扰（EMI）滤波应用设计。该器件采用紧凑的1210（3225）封装尺寸，适用于空间受限的高密度PCB布局。磁珠的核心功能是利用其在高频下的高阻抗特性，将不需要的高频噪声能量转化为热能消耗掉，从而有效净化电源线、信号线中的杂讯，提升电子系统的信号完整性和电磁兼容性（EMC）性能。GLFR2012T150M-LR属于多层片式结构，通过先进的陶瓷与金属复合材料工艺制造，确保了良好的高频特性和稳定性。该型号命名中，“GLFR”代表产品系列，“2012”对应其英制尺寸1210，“T”表示叠层结构，“150M”指在100MHz测试频率下标称阻抗为150Ω，“LR”通常表示低直流电阻版本，适合对压降敏感的应用场景。由于其优异的噪声抑制能力与小型化特点，GLFR2012T150M-LR广泛应用于便携式消费电子产品、通信设备、数字逻辑电路及各类高速接口的EMI对策中。
产品类型：铁氧体磁珠
封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
阻抗值（100MHz）：150Ω ±20%
额定电流：500mA
直流电阻（DCR）：最大400mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
测试频率：100MHz
耐压：50V
GLFR2012T150M-LR的最显著特性在于其在高频段具备出色的噪声吸收能力，尤其在100MHz时达到150Ω的标称阻抗，能够有效衰减射频干扰和开关噪声。该磁珠采用多层陶瓷叠层结构，在保证高阻抗的同时实现了极低的直流电阻（最大仅400mΩ），这使得其在电源线路中使用时不会引起明显的电压降或功率损耗，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的系统。此外，其结构设计优化了自谐振频率（SRF），避免在目标抑制频段内出现容性响应，确保在整个工作频带内保持稳定的感性阻抗特性。
该器件具有优异的温度稳定性和长期可靠性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内正常工作，满足工业级和部分汽车电子应用的需求。其表面贴装封装形式兼容标准回流焊工艺，便于自动化生产，提高了组装效率和一致性。GLFR2012T150M-LR还展现出良好的抗湿性和机械强度，经过严格的老化和环境测试验证，可在潮湿、振动等复杂环境中稳定运行。由于其非饱和材料特性，即使在额定电流下也能维持较稳定的阻抗性能，避免因电流波动导致滤波效果下降的问题。这些综合优势使其成为现代高频电子系统中不可或缺的EMI抑制元件。
GLFR2012T150M-LR常用于各类需要高效EMI滤波的电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源去耦和信号线滤波，用以抑制处理器、射频模块及高速数据接口产生的高频噪声。在无线通信系统如Wi-Fi模组、蓝牙设备和蜂窝基站前端电路中，该磁珠可用于隔离不同功能单元之间的干扰，提高接收灵敏度和传输稳定性。此外，在数字电路系统中，例如FPGA、ASIC或微控制器的I/O线路保护中，它能有效防止串扰和反射引起的信号失真。电源管理领域也是其重要应用方向，尤其是在DC-DC转换器输出端或LDO输入端，用于平滑纹波并提升电源纯净度。工业控制设备、医疗电子仪器以及车载信息娱乐系统同样广泛采用此类磁珠来满足严格的电磁兼容法规要求，如FCC、CE认证等。凭借其小型化与高性能的结合，GLFR2012T150M-LR非常适合高集成度、高频工作的现代电子平台。
BLM18PG151SN1D
DE2012T150M
