类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：55V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：10.5mΩ（最大值，典型值 8.4mΩ）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB、D2PAK（取决于具体子型号）

55C80BF 功率 MOSFET 具有以下显著特性：
　　首先，它具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下功率损耗极低，提高了系统的整体效率。在高电流应用中，这一特性尤为重要。
　　其次，该器件支持高达 80A 的连续漏极电流，在 55V 的漏源电压下表现出色，适合用于高功率密度设计。
　　此外，55C80BF 采用先进的制造工艺，确保了良好的热管理性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制系统、电源供应器和汽车电子设备。
　　该器件还具有较高的开关速度，有助于减少开关损耗，提高转换效率。这对于 DC-DC 转换器、同步整流器和马达控制等高频应用尤为重要。
　　最后，55C80BF 提供了多种封装选项，如 TO-220AB 和 D2PAK，便于在不同的 PCB 布局中安装和散热，增强了其在不同应用中的适应性。

55C80BF 主要应用于以下领域：
　　首先，在电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和负载开关，该器件的低导通电阻和高电流能力可显著提高系统效率并降低发热。
　　其次，在电动工具、无刷直流马达控制和电池管理系统中，55C80BF 可作为高效的功率开关，实现对电机或负载的精确控制。
　　此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、起停系统和车身控制模块，该 MOSFET 凭借其宽工作温度范围和高可靠性，能够胜任严苛的车载环境。
　　该器件还常用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及高功率 LED 驱动电路中，作为核心的功率开关元件。

STP80NF55、IRF1405、FDP80N55、FDV304P、Si4410DY