产品系列：GLF
　　封装尺寸（公制）：2012
　　封装尺寸（英制）：0805
　　电容值：47pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：±15%以内
　　端接类型：T（Ni/Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　电介质类型：Class II
　　应用等级：工业级

GLF2012T470K所采用的X7R电介质是一种稳定的铁电材料，具有较高的介电常数，能够在较小的物理尺寸下实现相对较大的电容密度。这种材料的特点是在整个指定的工作温度范围内（-55°C至+125°C），电容值的变化被严格控制在±15%以内，确保了电路工作的稳定性和一致性。相比于Z5U或Y5V等其他Class II介质，X7R提供了更优的温度稳定性和老化特性，因此更适合用于需要长期可靠运行的精密电路中。
　　该电容器的结构由多个交替堆叠的陶瓷介质层和内电极组成，通过高温共烧工艺形成一体化的多层结构。这种设计不仅显著降低了等效串联电感（ESL），还减小了等效串联电阻（ESR），从而提升了其在高频条件下的阻抗表现，特别适合作为去耦电容使用于IC电源引脚附近，有效滤除高频噪声并维持供电电压的平稳。同时，低ESL特性也有助于减少高频谐振效应，提高系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　GLF2012T470K的端子采用了镍阻挡层加锡外镀的T型端接结构（Ni/Sn），这种三层端子设计（铜内电极—镍阻挡层—锡外层）能有效防止焊料渗透（wicking）导致的“墓碑效应”（tombstoning），并增强焊接可靠性和耐热冲击能力。该结构还能抵抗潮湿环境下的腐蚀，提升器件在严苛环境中的长期稳定性。此外，该器件符合RoHS环保指令要求，不含铅及其他有害物质，支持无铅回流焊工艺，适用于现代绿色电子制造流程。
　　由于其小尺寸和高性能的结合，GLF2012T470K非常适合空间受限但对性能有较高要求的设计，例如移动通信模块、Wi-Fi/蓝牙射频前端、传感器接口电路和高速数字逻辑电路中的旁路与退耦应用。其良好的频率响应特性和稳定的电气参数，使其成为替代传统钽电容或铝电解电容的理想选择之一，在高频去耦领域展现出明显优势。

GLF2012T470K广泛应用于各类需要稳定电容性能和高频率响应的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源去耦与信号滤波；在无线通信模块中，用于射频放大器、混频器和振荡器电路的耦合与旁路，以确保信号完整性；在工业控制设备中，作为微控制器单元（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）和模数转换器（ADC）的电源旁路电容，有效抑制电源噪声并提升系统抗干扰能力。
　　此外，该器件也常见于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、驾驶辅助模块和车身控制单元，得益于其宽工作温度范围和高可靠性，能够适应车辆运行过程中的剧烈温度变化和振动环境。在电源管理系统中，GLF2012T470K可用于DC-DC转换器的输入输出滤波，帮助平滑电压波动并降低纹波噪声。由于其无磁性特性，也可用于医疗设备、测试仪器等对磁场敏感的应用场合，避免对外部传感器造成干扰。
　　在高速数字电路设计中，随着时钟频率的不断提升，对去耦电容的要求也越来越高。GLF2012T470K凭借其低ESR和低ESL特性，能够快速响应瞬态电流需求，维持电源轨的电压稳定，防止因电源塌陷引起的逻辑错误。因此，它常被布置在处理器、存储器和其他高速IC的电源入口处，构成完整的去耦网络的一部分。总体而言，GLF2012T470K是一款通用性强、性能可靠的多层陶瓷电容器，适用于多种中高压、中容量需求的工业与商业电子应用。

C0805C470K5RACTU
　　GRM21BR71H470KA01
　　CL21A470KP5NNNC
　　ECJ-2VB1H470K