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H5TQ2G43CFR-H9C 发布时间 时间:2025/9/2 4:11:49 查看 阅读:4

H5TQ2G43CFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储解决方案的一部分,通常用于需要快速数据访问的高性能计算和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较高的存储密度和稳定性。

参数

制造商: SK Hynix
  产品类型: DRAM
  存储容量: 2 Gb
  数据总线宽度: x4
  时钟频率: 800 MHz
  电压: 1.8V - 3.3V
  封装类型: FBGA
  封装尺寸: 54-ball FBGA
  接口: 串行
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C

特性

H5TQ2G43CFR-H9C 是一款专为高性能应用设计的DRAM芯片,具备优异的读写速度和稳定性。其主要特性之一是采用了高速800MHz时钟频率,使其能够提供高带宽的数据传输能力,适合用于嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备。
  该芯片支持x4数据总线宽度,允许在较小的物理空间内实现较高的数据吞吐量。此外,其低电压操作范围(1.8V至3.3V)使其能够在不同电源条件下保持稳定运行,适用于多种电源管理方案。
  这款DRAM采用54-ball FBGA封装,具有良好的热管理和电气性能,确保在高负载环境下也能保持可靠运行。其紧凑的设计使其成为空间受限应用的理想选择,例如便携式电子设备和小型嵌入式系统。
  此外,H5TQ2G43CFR-H9C 的工作温度范围为-40°C至+85°C,可以在严苛的环境条件下稳定运行,适用于工业自动化、车载电子、网络设备等多种应用场景。

应用

H5TQ2G43CFR-H9C 常用于需要高性能内存支持的嵌入式系统和工业设备,如网络路由器、交换机、工业控制设备、车载导航系统、智能监控设备等。由于其高速读写能力和紧凑的封装设计,它也适用于需要轻量化和高性能的小型电子产品。

替代型号

[
   "H5TQ2G43CFR-RDLC",
   "H5TQ1G43CFR-H9C",
   "H5TQ2G43CFR-H9A"
  ]

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