H5TQ2G43CFR-H9C 时间：2025/9/2 4:11:49 阅读：26

H5TQ2G43CFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储解决方案的一部分，通常用于需要快速数据访问的高性能计算和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较高的存储密度和稳定性。

参数

制造商: SK Hynix
　　产品类型: DRAM
　　存储容量: 2 Gb
　　数据总线宽度: x4
　　时钟频率: 800 MHz
　　电压: 1.8V - 3.3V
　　封装类型: FBGA
　　封装尺寸: 54-ball FBGA
　　接口: 串行
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C

特性

H5TQ2G43CFR-H9C 是一款专为高性能应用设计的DRAM芯片，具备优异的读写速度和稳定性。其主要特性之一是采用了高速800MHz时钟频率，使其能够提供高带宽的数据传输能力，适合用于嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备。
　　该芯片支持x4数据总线宽度，允许在较小的物理空间内实现较高的数据吞吐量。此外，其低电压操作范围（1.8V至3.3V）使其能够在不同电源条件下保持稳定运行，适用于多种电源管理方案。
　　这款DRAM采用54-ball FBGA封装，具有良好的热管理和电气性能，确保在高负载环境下也能保持可靠运行。其紧凑的设计使其成为空间受限应用的理想选择，例如便携式电子设备和小型嵌入式系统。
　　此外，H5TQ2G43CFR-H9C 的工作温度范围为-40°C至+85°C，可以在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、车载电子、网络设备等多种应用场景。