时间：2025/6/17 13:40:51
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BST236A054R是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压的特点，适用于多种功率转换和开关应用场合。其出色的性能使得它在电源管理、电机驱动、工业控制等领域中被广泛使用。
这款MOSFET能够在高频条件下提供高效的功率传输，同时具备良好的热稳定性和耐用性。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：36A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：78nC（典型值）
开关速度：快速
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55℃至+175℃
BST236A054R的主要特性包括：
1. 低导通电阻设计，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件的可靠性与耐用性。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定工作。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 提供优异的电气特性和机械强度，适用于高功率密度设计。
BST236A054R适用于以下应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器和充电器。
2. 直流-直流转换器中的同步整流。
3. 工业电机驱动和逆变器控制。
4. 电池保护和负载切换。
5. 各种需要高效功率转换的电子设备。
IRFZ44N, FDP5570N
